磁控溅射CdS 薄膜的性质研究

来源 :第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) | 被引量 : 0次 | 上传用户:cc_7722
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本文采用射频磁控溅射的方法在石英衬底上制备CdS 薄膜,并研究讨论了制备条件对薄膜结构、光学、电学等方面的影响.结果表明,室温条件下,沉积时间对样品结构基本无影响,均呈现CdS 立方结构(111) 的最强峰;光学禁带宽度随沉积时间呈先增后降的趋势,并在30min 出现2.41 eV 的最大值.衬底温度发生变化时,样品的结构几乎不发生变化,出现立方相(111)方向的择优取向;且随着衬底温度的升高其禁带宽度变小,在200℃时达到2.34eV的最小值.无论沉积时间及衬底温度的变化,所有样品均显示为n 型,但其强度随着沉积时间增长而减弱,随着衬底温度的升高出现先减后增的趋势.
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