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基于浮栅结构的NOR型Flash在进行长时间大量的读写操作后，会由于氧化层可靠性、读写干扰等问题，导致芯片出现耐久性缺陷。耐久性测试是Flash芯片测试中占用测试时间最长的测试过程，测试成本很高。本文在深入分析NOR型Flash耐久性缺陷机理的基础上，对Flash存储器耐久性测试方法进行了研究，设计了一种成本相对较低但可靠性很高的NOR型Flash耐久性测试与评估系统，该系统基于FPGA，可对待测芯片进行各种可编程的测试图形的耐久性读写测试，可实现长达100小时的稳定的可靠性读写实验，集成了对测试结果的定位、统计与评估，大大降低了测试成本。