论文部分内容阅读
锆钛酸铅[Pb(ZrxTi1-x)O3,PZT]是钛酸铅(PbTiO3,PTO)和锆酸铅(PbZrO3,PZO)的固溶体,其作为铁电材料的典型代表在铁电随机存储器、薄膜电容器和微机电系统等领域有着广范的应用。
PbTiO3/PbZrO3铁电超晶格薄膜及其电学性能的研究
【摘 要】
：
锆钛酸铅[Pb(ZrxTi1-x)O3,PZT]是钛酸铅(PbTiO3,PTO)和锆酸铅(PbZrO3,PZO)的固溶体,其作为铁电材料的典型代表在铁电随机存储器、薄膜电容器和微机电系统等领域有着广范的应用。
【机 构】
：
东北大学 材料科学与工程学院;中国科学院金属研究所 沈阳材料科学国家实验室
【出 处】
：
第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
：
2016年5期
其他文献
可溶液加工的有机半导体材料在大面积、柔性、低成本的有机薄膜晶体管领域有很大的应用前景。近年来，通过分子设计和器件工程，基于有机半导体薄膜的场效应晶体管性能得到了很大提升，然而n型材料的性能仍远远落后于p型材料，并且载流子的传输机制始终不清晰。
Ga2O3是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，其禁带宽度Eg～4.9 eV(～250nm)，具有高的紫外可见光透过率，是一种非常有前景的紫外/深紫外光电子器件氧化物半导体材料.
铁电薄膜具有优良的压电性、介电性、铁电性等，已经被广泛应用于传感器、电容器、非易失性存储器、红外探测器等微电子器件。随着薄膜制备技术的发展，铁电超晶格薄膜的研究已经得到广泛的关注。
La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)多晶薄膜具有良好的低场磁电阻性能，在磁存储等领域有着广泛的应用前景.居里温度(TC)和金属-绝缘转变温度(TMI)是表征LSMO薄膜的磁、电性能的两个重要参量，而TC和TMI之间的温度差(△T=TC－TMI)对其低场磁电阻性能有很大影响.
近年来，三元化合物半导体碲锰镉受到了广泛的关注和研究.CdMnTe晶体具有优异的光电性能，是最为理想的室温X射线、γ射线探测器材料之一.
PbTiO3(PTO)铁电薄膜具有较高的居里温度和较大的热释电系数，已用于制备红外探测器等铁电集成器件。但是，铁电集成器件的制备需要与Si半导体工艺相结合，故需要尽可能地降低PTO薄膜的结晶温度。
铁电阻变存储器具有非破坏性读写、高存储密度、结构简单和低能耗等优势，因此被认为是最具应用前景的新型非挥发性存储器之一。虽然在许多文献中，较好的铁电阻变性能已经在铁酸铋、钛酸钡和锆钛酸铅等铁电异质结薄膜中实现，但是同一材料体系在不同文献中的阻变性能却表现出很大的差异。
基于铌酸锂(LiNbO3)的声表面波(SAW)滤波器件已经在射频移动通讯设备的前端实现了商业化应用。随着移动通讯技术的迅猛发展，基于LiNbO3的SAW工作频率因为声速较小(3400-4000 m/s)和金属叉指线宽受普通光刻精度限制等因素较低，难以满足通讯系统工作频率不断提升的需求。
反铁电材料由于存在独特的外场诱导反铁电到铁电的相变行为，在能源存储系统、微驱动器、电卡制冷系统等方面具有广阔的应用前景。
在所有宽禁带半导体中,ZnO由于其3.37 eV的禁带宽度以及较大的激子束缚能在光电领域受到了广泛关注.研究者们尝试了多种技术来提高ZnO基LED的发光效率,例如：ZnO同质外延、p型掺杂、能带工程、多量子阱(MQWs)、非极性ZnO薄膜、高质量Zn1-xMgxO和ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱等.