【摘 要】
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合作制备了体硅0.6μm工艺直栅和环栅不同设计结构的MOS器件，开展了稳态高剂量率电离辐射总剂量效应试验。通过对实验数据进行分析，研究当器件特征尺寸达到亚微米、深亚微米时，不同设计结构、不同辐照偏置条件对实验结果的影响。分析了器件的短沟效应、窄沟效应、DIBL增强效应，为器件设计加固提供了有益的试验数据。
【机 构】
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西北核技术研究所，西安710024 中国航天时代电子公司，北京
【出 处】
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第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会
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合作制备了体硅0.6μm工艺直栅和环栅不同设计结构的MOS器件，开展了稳态高剂量率电离辐射总剂量效应试验。通过对实验数据进行分析，研究当器件特征尺寸达到亚微米、深亚微米时，不同设计结构、不同辐照偏置条件对实验结果的影响。分析了器件的短沟效应、窄沟效应、DIBL增强效应，为器件设计加固提供了有益的试验数据。
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