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本试验采用磁控溅射法制备了氧化铟锡薄膜,本文通过试验研究了温度对ITO薄膜导电性能的影响,发现了ITO薄膜的导电性能在温度及作用时间影响下的变化趋势,结合其导电机理分析电阻变化的原因,并确定了最佳的改善工艺为400℃下,保温20min.
温度对ITO薄膜导电性能的影响
【摘 要】
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本试验采用磁控溅射法制备了氧化铟锡薄膜,本文通过试验研究了温度对ITO薄膜导电性能的影响,发现了ITO薄膜的导电性能在温度及作用时间影响下的变化趋势,结合其导电机理分析
【机 构】
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中国建筑材料科学研究总院 北京市100024
【出 处】
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2015年全国玻璃科学技术年会
【发表日期】
：
2015年期
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