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研究了沉淀法制备Ａｌ＜，２＞Ｏ＜，３＞－ＳｉＣ纳米复合陶瓷的工艺过程，利用Ａｌ＜，２＞Ｏ＜，３＞从γ相到α相的蠕虫状生长过程，使大部分纳米ＳｉＣ颗粒位于Ａｌ＜，２＞Ｏ＜，３＞晶粒内。用沉淀法制得的含有５ｖｏｌ℅ＳｉＣ的Ａｌ＜，２＞Ｏ＜，３＞－ＳｉＣ纳米复合陶瓷，其强度为４６７ＭＰａ，韧性为４．７Ｐａｍ＜’１／２＞，与一般的Ａｌ＜，２＞Ｏ＜，３＞陶瓷相比有较大的提高，显示了沉淀法制备Ａｌ＜，２＞Ｏ＜，３＞－ＳｉＣ纳米复合陶瓷的优点。