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为了提高半导体激光器的光谱纯度、亮度和工作稳定性,对多环耦合结构的半导体激光器进行了研究.通过采用多环耦合、弯曲有源波导共端输出结构,使得环形结构激光器器件输出特性在光谱、亮度和工作稳定性方面得到了大幅改善.得到器件水平远场发散角度为2.7°,输出功率达10 mW,在821 nm处的谱线宽度0.26 nm,实现Q因子达2737；发现该多环耦合结构器件具有电流对光谱调制特性,调制范围接近15nm,同时发现电流对谱线宽度也有一定的调制作用,调制能力在0.2nm左右.优化后器件输出的谱线宽度变窄,达到0.2 nm,实现Q因子达4040.