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首次用提拉法生长了Yb3+掺杂浓度高达30at.﹪的高质量Yb:YAG晶体.研究了晶体的生长工艺参数和退火工艺参数.用Yb:YAG晶体在940nm的吸收系数表征了Yb3+离子在Yb:YAG晶体中的分布情况.
30at.％Yb:YAG晶体的生长及激光性能
【摘 要】
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首次用提拉法生长了Yb3+掺杂浓度高达30at.﹪的高质量Yb:YAG晶体.研究了晶体的生长工艺参数和退火工艺参数.用Yb:YAG晶体在940nm的吸收系数表征了Yb3+离子在Yb:YAG晶体中的分布情况.
【机 构】
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中国科学院无机功能材料开放实验室中国科学院上海硅酸盐研究所(上海) 中国科学院上海光学精密机械研究
【出 处】
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2000年中国博士后学术会议
【发表日期】
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2000年11期
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