椭偏光谱术在Ge-Sb-Te相变薄膜改性研究中的应用

来源 :第一届全国椭圆偏振光谱学研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wuzhi1979

【摘要】

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Ge2Sb2Te5(GST)薄膜作为目前两种主要的相变存储介质之一,其性能的改进十分重要,掺杂是提高相变材料性能的重要手段之一.本工作运用椭圆偏振光谱测量术研究了适量掺杂对GST

【作者】

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李晶

【机构】

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复旦大学信息学院光科学与工程系,上海,200433;上海超精密光学制造工程技术研究中心,上海,200433;复旦大学微纳光子结构教育部重点实验室,上海,200433

【出处】

：

第一届全国椭圆偏振光谱学研讨会

【发表日期】

：

2014年11期

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Ge2Sb2Te5(GST)薄膜作为目前两种主要的相变存储介质之一,其性能的改进十分重要,掺杂是提高相变材料性能的重要手段之一.本工作运用椭圆偏振光谱测量术研究了适量掺杂对GST 薄膜相变特性的影响.利用LAB600sp 型磁控溅射系统、采用共溅射方式制备适量掺杂的Ge2Sb2Te5 相变薄膜样品Mx(Ge2Sb2Te5)100-x,其中M 为掺杂元素(如金属Al、Ti、Ag、半导体Si、ZrO2、TiO2 或N、O 等).

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