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采用直流磁控溅射法在玻璃基板上制备ITO薄膜,研究了溅射功率、溅射时间、溅射气压等工艺条件对ITO薄膜的方阻和透过率的影响.并在溅射功率45W,溅射时间3min,溅射气压3Pa的工艺条件下得到了我们所需要的高阻薄膜,其方阻为2.873MΩ/sq,对550hm可见光的透过率为96.466％.
ITO高阻薄膜的制备及光电特性研究
【摘 要】
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采用直流磁控溅射法在玻璃基板上制备ITO薄膜,研究了溅射功率、溅射时间、溅射气压等工艺条件对ITO薄膜的方阻和透过率的影响.并在溅射功率45W,溅射时间3min,溅射气压3Pa的工
【机 构】
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东南大学电子科学与工程学院,江苏南京210096
【出 处】
：
第八届华东三省一市真空学术交流会
【发表日期】
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2013年期
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