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<正>通过化学气相沉积法,使用一端开口的石英管系统,在常压下成功合成了硅纳米棒阵列。其中,冰浴的四氯化硅、高纯氢气、高纯氩气和硅(111)晶片分别作为硅源、反应气、载气和基板。反应温度、保温时间、反应气和载气的流量等因素对硅纳米结构的影
化学气相沉积制备硅纳米棒阵列
【摘 要】
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<正>通过化学气相沉积法,使用一端开口的石英管系统,在常压下成功合成了硅纳米棒阵列。其中,冰浴的四氯化硅、高纯氢气、高纯氩气和硅(111)晶片分别作为硅源、反应气、载气和
【机 构】
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同济大学;
【发表日期】
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2004年期
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