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本文在对典型集成电路80C196KC20的总剂量试验数据分析的基础上，对其总剂量损伤分布和损伤特征进行了研究，运用Bayes原理对试验数据进行分析，研究发现，集成电路80C196KC20的总剂量损伤分布服从正态分布，运用bayes方法可提高评估精度、减少评估费用.
集成电路的辐射能力小子样评估技术
【摘 要】
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本文在对典型集成电路80C196KC20的总剂量试验数据分析的基础上，对其总剂量损伤分布和损伤特征进行了研究，运用Bayes原理对试验数据进行分析，研究发现，集成电路80C196KC20的总剂
【机 构】
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试验物理与计算数学实验室 北京 100076 北京临近空间飞行器系统工程研究所
【出 处】
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
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2009年期
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