【摘 要】
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通过一种简单的气相沉积法，高质量的CdS分枝纳米线被一步制备而成，并对于其生长机理进行了相应的讨论.单根的CdS分枝纳米线被分别组装到硅基和柔性衬底上，从而得到刚性和柔性的可见光光电探测器.研究发现，基于SiO2/Si衬底的CdS分枝纳米线光电探测器展现出了超高的光暗电流开关比(高达1.96× 104)，比先前报道的CdS纳米结构光电探测器高出了几个量级，同时器件还具备高的比探测率(4.27×10
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通过一种简单的气相沉积法，高质量的CdS分枝纳米线被一步制备而成，并对于其生长机理进行了相应的讨论.单根的CdS分枝纳米线被分别组装到硅基和柔性衬底上，从而得到刚性和柔性的可见光光电探测器.研究发现，基于SiO2/Si衬底的CdS分枝纳米线光电探测器展现出了超高的光暗电流开关比(高达1.96× 104)，比先前报道的CdS纳米结构光电探测器高出了几个量级，同时器件还具备高的比探测率(4.27×1012 Jones)，快的响应速度和优异的环境稳定性.以柔性聚酰亚胺(Pl)薄膜为衬底的柔性光电探测器也表现出了与硅基器件相似的性能.此外，所制备的柔性器件还展现出了优异的机械柔性、电学稳定性和弯曲耐折度.这些结果表明CdS分枝纳米线在纳米尺度光电器件方向具有很好的应用前景，比如用于制备高性能光开关和高光敏探测器等.
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