论文部分内容阅读
本文介绍了铜作为互连金属的优点、面临的困难及解决方案,讨论了阻挡层材料和低介电常数材料的的作用及选取原则,介绍了制备铜互连线的镶嵌工艺,指出其亟待解决的技术和理论问题并对其发展方向进行了展望.
ULSI多层铜布线镶嵌工艺的研究
【摘 要】
：
本文介绍了铜作为互连金属的优点、面临的困难及解决方案,讨论了阻挡层材料和低介电常数材料的的作用及选取原则,介绍了制备铜互连线的镶嵌工艺,指出其亟待解决的技术和理论
【机 构】
：
河北工业大学微电子研究所,天津,300130
【出 处】
：
第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
：
2005年期
其他文献
卵巢功能早衰症属于中医学经绝、断经范畴.笔者自1993～1999年间,采用内服中药,外用耳穴压丸治疗本病,对延缓卵巢功能早衰,缓解临床症状取得了较为满意的临床效果,本文进行了介
本文建立了真空中热激励碳化硅谐振器谐振器简化模型,并用解析的方法,考虑内应力的影响,推导了出了器件的幅频公式,得出了利用有限元软件ANSYS9.0对碳化硅微桥谐振器进行了仿
仲夏的西安,热浪袭人。1986年6月19日,对于西安市第一印刷厂的职工来说,这是个难忘的日子。这天下午,下班的钟声已响过整整半小时,位于厂办公楼二楼的会议室里,仍然挤满了人
目的探讨穿刺活检乳腺癌的临床病理特点及生物学指标在乳腺癌诊断、治疗、预后中的应用。方法收集2010年1月—2013年4月间病理确诊的76例穿刺活检的乳腺癌病例,进行回顾分析
西班牙著名歌星胡利奥·伊格雷西亚斯以他那浑厚、圆润的嗓音和充溢着激情的表演使成千上万不同肤色、不同年龄的男男女女为之心迷陶醉。他演唱的歌曲灌制和出售的唱片已达
在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si技术,大大减少了驰豫SiGe层所需的厚度.TEM检测结果,应变Si层线位错密度低于106cm-2;原子力显微
本文综合运用硅硅键合、深槽刻蚀、多晶硅回填、化学机械抛光和离子注入技术,进行了介质隔离互补双极工艺技术研究,实现了纵向PNP、NPN以及横向PNP双极晶体管的SOI单片集成,
在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.本文研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非晶化处理可以促进Ni在低温下与衬底Si的反应,
在MEMS器件中,SiC材料的使用已经越来越广泛,因此形成一套可以满足兼容性和可控性要求的标准工艺显得十分重要.本文通过对PECVDSiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感