【摘 要】
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以晶体生长理论为基础,计算了气相提拉生长 CdSe 晶体时的生长速率．结果表明用提拉法气相生长 CdSe 晶体时,晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2202AA325030)
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以晶体生长理论为基础,计算了气相提拉生长 CdSe 晶体时的生长速率．结果表明用提拉法气相生长 CdSe 晶体时,晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度,以后不再变化．由此,在选定温场的前提下,对 CdSe 单晶体的气相生长速度进行了优化,确定了3mm/d 的生长速度, 得到了平界面生长的尺寸为φ20mm×30mm,电阻率高达10~9Ω·cm,且未观察到深能级陷阱的优质 CdSe 大单晶体．
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