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本文概述了量子阱电吸收光调制器设计的整个过程，从量子阱材料设计，到器件的光波导设计和微波特性设计，并给出了使用剥离法、湿法刻蚀技术制作InP 基量子阱电吸收调制器的初步实验结果。InP 基窄带隙量子阱材料设计相对能隙较大的GaAs 量子阱材料必须考虑能带耦合效应，材料设计、光波导设计和微波特性设计是相互影响的。