原子层沉积技术中电场对ZnO薄膜结晶性能的调制研究

来源 :2014年全国博士后新材料技术与应用学术论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ppmeng

【摘要】

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【作者】

：

卢维尔贾毅李超波夏洋

【机构】

：

中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院

【出处】

：

2014年全国博士后新材料技术与应用学术论坛

【发表日期】

：

2014年10期

【关键词】

：

半导体材料氧化锌薄膜原子层沉积电场调制结晶性能

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本文采用一种可变电场调制的原子层沉积技术(E-ALD)制备了氧化锌(ZnO)薄膜.在前驱体脉冲时,通过施加不同大小和方向的电压,可以对制备所得ZnO薄膜的晶体择优取向和结晶性能进行可控调制.当在锌源脉冲时施加正电压,氧源脉冲时施加负电压,制备得到了c轴择优取向的ZnO薄膜.电场对薄膜的调制机理为:当在腔室内施加电场时,极性的前驱体分子受到电场偶极矩的作用,使得分子发生偏转并且沿着电场线方向加速的向衬底运动,这对衬底表面化学反应的强度以及发生反应后分子的排列产生影响,进而影响到制备所得薄膜的结构和性能.这种E-ALD技术为半导体薄膜的制备提供了一条新的途径,有望制备出特定性能的薄膜材料.

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