【摘 要】
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本文介绍作者关于非晶硅基pin型太阳电池p型界面的研究工作.我们采用了AMPS模型计算模拟与PECVD技术制备电池样品相结合的研究方法.研究工作中,我们发现由界面问题引起的光伏I-V曲线的异常拐弯可区分为两类,一类的拐弯发生在开路电压附近,另一类的拐弯发生在电压大于开路电压之后,分别同异质结界面上附加界面层的存在和能带边的不匹配有关.
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本文介绍作者关于非晶硅基pin型太阳电池p型界面的研究工作.我们采用了AMPS模型计算模拟与PECVD技术制备电池样品相结合的研究方法.研究工作中,我们发现由界面问题引起的光伏I-V曲线的异常拐弯可区分为两类,一类的拐弯发生在开路电压附近,另一类的拐弯发生在电压大于开路电压之后,分别同异质结界面上附加界面层的存在和能带边的不匹配有关.
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