【摘 要】
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对掺氧后a-SiNxOy发光机制与光生载流子的复合动力学过程进行深入研究,从而证实了a-SiNxOy薄膜N-Si-O缺陷态发光机制.在p-n结LED器件研究中也发现,EL来自于电注入的载流子在N
【机 构】
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南京大学电子科学与工程学院,固体微结构物理国家重点实验室210093
【出 处】
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第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
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对掺氧后a-SiNxOy发光机制与光生载流子的复合动力学过程进行深入研究,从而证实了a-SiNxOy薄膜N-Si-O缺陷态发光机制.在p-n结LED器件研究中也发现,EL来自于电注入的载流子在N-Si-O缺陷态上的复合发光,并且N-Si-O缺陷态也作为载流子注入通道,是p-n异质结高效发光的重要原因.此外,研究了N-Si-O缺陷态在硅氮氧薄膜光增益特性的作用.
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