【摘 要】
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最近,Narvaez等人发现在弯曲半导体中具有更大的类似挠曲电荷的响应。这一事实表明电化学过程对挠曲电有很大影响。因此,研究电化学过程和挠曲电效应之间的耦合是比较重要的
【机 构】
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福州大学机械工程及自动化学院; 西安交通大学航天航空学院;
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最近,Narvaez等人发现在弯曲半导体中具有更大的类似挠曲电荷的响应。这一事实表明电化学过程对挠曲电有很大影响。因此,研究电化学过程和挠曲电效应之间的耦合是比较重要的。考虑挠曲电效应和应变梯度,本文将经典Noether定理应用于耗散电化学力学过程,导出了几种保守积分,包括经典的J-和L-积分,并验证了J-和L-积分与能量释放率的关系。最后,讨论了考虑挠曲电效应的模式III裂纹问题,以证明J积分的路径独立性。
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